과학기술정보통신부가 국내 3대 주력기술인 반도체·디스플레이·차세대전지 분야에서 미래 핵심기술을 확보하기 위해 「3대 주력기술 초격차 연구개발(R&D)전략」을 발표했다. 전 세계적인 기술패권 경쟁 양상과 더불어 자국 산업 보호주의가 심화됨에 따라, 우리 정부도 자국의 기술력을 증대시키기 위해 마련된 계획이다.
현재 반도체, 디스플레이, 차세대전지 분야(3대 주력기술)는 우리 경제의 버팀목이 되고 있으며, 세계적으로 큰 시장이 형성될 것으로 전망되는 분야다. 따라서 이번 전략은 우리나라가 해당 분야에서 우위 역량을 유지할 수 있도록, 민·관이 협업하여 선제적인 연구개발(R&D)을 지원하는 것에 집중하고 있다.
목 표
반도체
·「반도체 미래기술 로드맵」*에 따른 차세대 핵심기술 45개 확보
디스플레이
· 초실감, 차세대 프리폼, 융?복합 등 미래 디스플레이 핵심원천기술(28개) 선제적 확보
· 초격차 분야(OLED 등) 우위기술 고도화
차세대전지
· 디지털·그린 혁명을 뒷받침하는 차세대전지 핵심기술 27개 확보
· ① 혁신적 효율·성능 향상, ② 안전성·내구성 향상, ③ 원료·소재 자립화 추진
1. 범부처 차원의 ‘민·관 연구 협의체’ 구성·운영
그동안 3대 주력기술 분야에서는 기초·원천, 응용·개발, 상용화 단계가 유기적으로 지원되지 않았다. 이를 극복하고자 정부는 3대 주력기술 분야 연구개발(R&D) 사업을 지원하는 부처와, 산학연 전문가 단체들로 구성된 민관협의체를 구성한다. 이를 통해 R&D 전 단계를 빈틈없이 연계하여 추진한다.
2. 미래 핵심기술 분야 연구개발(R&D) 중점 지원
정부는 3대 주력기술 분야에서의 초격차 기술을 확보하고 신시장을 창출하기 위해, 2027년까지 160조 원 규모의 민관 R&D 자금을 투자한다. 투자는 이번에 선정된 미래 핵심기술 100개를 기준으로 이루어진다. 반도체 산업에서는 소자·설계·공정 3개 분야에서 45개 미래 핵심기술이 선정됐다. 디스플레이 산업에서는 초실감·차세대 프리폼(free-form)·융복합 기술 분야에서 총 28개 기술이 선정됐다. 차세대전지에서는 이차전지·수소연료전지·동위원소전지 분야에서 총 27개 기술이 선정됐다. 정부는 매년 미래 핵심기술을 수정·보완하여 중점적으로 지원할 예정이다.
또한 3대 주력기술 분야의 정부 R&D는 응용·개발 단계 및 현세대 기술과 더불어, 기초·원천 단계와 차세대 기술도 지원한다. 아울러 연구개발 투자가 신속하게 이루어질 수 있도록 부처별 전략기술 관련 법령과 제도를 활용해 R&D 인력, 세제 지원 등을 적극적으로 추진한다. 이를 위해 국가전략기술 세부기술 선정 시 민간기업의 중요한 기술이 지원받을 수 있도록 부처 간 소통과 협력을 강화한다.
3. 석·박사급 고급·전문인력 양성
정부는 3대 주력기술 분야별로 석박사급 고급인력과 실무에 바로 투입할 수 있는 전문인력을 양성할 계획이다. 이를 위해 ▲대학 연구거점 구축사업 등을 신설?확대 ▲계약정원제 ▲계약학과와 전공트랙 신설을 지원한다.
4. 연구자 중심의 인프라 조성과 국제 협력 활성화
정부는 연구자 중심의 특화 오픈팹(Open Fab*) 구축을 추진한다. 이는 반도체와 관련된 새로운 물질과 구조 기반의 시제품을 제작할 수 있는 시설이다. 또한 디스플레이·차세대전지도 조성한다. 나노종합기술원과 한국나노기술원 등 기존 팹과의 역할 분담을 명확히 하면서 동시에 연계를 강화한다.
더불어 기술별 핵심 난제를 미국, 유럽연합(EU) 등과의 연구를 통해 해결할 수 있도록 ‘연구자 토론회(포럼)’를 개최하고, 기술 선진국과의 공동 연구개발(R&D) 사업 신설 등을 지속적으로 추진한다.
* 팹: FAB, 반도체 생산 라인을 뜻하는 fabrication의 준말
미래 반도체 핵심기술(45개)
대분류 | 중분류 | 핵심기술 |
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소자 | 강유전체 | 강유전체 소재 |
강유전체 메모리/강유전체 커패시터 | ||
강유전체 트랜지스터, 부성저항 트랜지스터 | ||
강유전체 터널 접합 | ||
강유전체 기반 컴퓨팅 | ||
자성체 | MRAM(SOT/STT/VCMA) | |
강유전체 기반 컴퓨팅 | ||
멤리스터 | 상변화 소재 기반 컴퓨팅 | |
저항변화 소재 기반 컴퓨팅 | ||
전하트랩 소재 기반 컴퓨팅 | ||
설계 | AI 반도체 | 페타급 슈퍼컴퓨팅 |
고급 패키징 PIM | ||
뉴메모리 기반 컴퓨팅-인-메모리(CIM) | ||
SNN 기반 뉴로모픽 프로세서 | ||
차세대 통신 6G용 AI 반도체 기술 | ||
6G 반도체 | 인공지능 빔포밍 칩(CMOS) | |
SOI FEM(CMOS) | ||
무선 집적회로(CMOS) | ||
GaN HEMT(화합물) | ||
Bi-FET(화합물) | ||
광 송수신 엔진 | ||
전력 반도체 | 전력변환모듈 | |
집적회로(IC) 기술 | ||
전력반도체 소재 | ||
전력반도체 소자 | ||
전력반도체 모델링 | ||
전력반도체 신뢰성 | ||
차량용 반도체 | AP | |
MCU | ||
카메라 계열 센서 | ||
라이다 계열 센서 | ||
레이다 계열 센서 | ||
전력관리 | ||
유·무선 통신 | ||
공정 | 전공정 | 전력소자용 단결정 MOCVD |
고생산성 장비 기술 | ||
극초저온 공정 | ||
원자층 제어 공정 | ||
고유전율 유전체저저항 금속배선 | ||
텅스텐 CMP 및 슬러리 | ||
후공정 | 이종 접합 | |
3D 패키징 | ||
팬아웃 웨이퍼 레벨 패키징 | ||
고열전도도 패키징 |
미래 디스플레이 핵심기술(28개)
대분류 | 중분류 | 핵심기술 |
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초실감 | 초현실 공간구현 | 대면적 킬로 PPI 패터닝 기술 |
마이크로 화소 레이저 기술 | ||
모노리식 나노급 LED 집적화 모듈 및 집적회로 기술 | ||
평판형 광변조 광원 기술 | ||
능동 광변조 메타 소재/소자 기술 | ||
머신러닝 이용 화질평가 기술 | ||
나노 TFT 기술 | ||
크로스톡 프리 마이크로미터급 픽셀 어레이 기술 | ||
초저지연 | 테라급 영상신호 인터페이스 기술 | |
다중 인터랙티브 화소/센서 제어 기술 | ||
고민감도 대면적 센서 일체화 패널 소재 및 공정 기술 | ||
다중감각 | 다중감각 | 촉각 시각화 기술 |
웨어러블 햅틱 인터랙션 디바이스 기술 | ||
비접촉 공간 햅틱 인터랙션 디바이스 기술 | ||
공감각 재현을 위한 뉴럴 인터페이스 기술 | ||
가변형/융·복합 | 공간 맞춤형 | 모듈라 패널 무선 전원/구동 기술 |
수광/발광 일체형 화소/패널 기술 | ||
이종광원 조합형 마이크로 화소 및 패널 기술 | ||
스크린 프리 기술 | ||
로컬 투과도 가변소재 및 패널 기술 | ||
소량 다품종 유연 패널생산 기술 | ||
래퍼블(Wrappable) 패널 제조 소재 및 설계 기술 | ||
생체 맞춤형 | 피부부착 생체신호 디스플레이 기술 | |
피부 표면굴곡 적응형 초소형 프로젝션 광학엔진 기술 | ||
적조형 발광소자 및 능동구동 기술 |
차세대 전지 핵심기술(27개)
대분류 | 중분류 | 핵심기술 |
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이차전지 | 혁신적 효율·성능 향상 | 하이니켈(90 %)이상 양극재, 실리콘 음극재(5 % 이상) 등 고성능 소재 개발 |
셀-모듈-팩 연계 단순화, 화재억제 등 패키징 소재 개발 | ||
고성능 하이니켈 NCM 양극 소재 적용 전고체 전지(800 Wh/L) | ||
리튬메탈 음극 기반 혁신 전지(1,000 Wh/L) | ||
황 전극을 활용한 리튬황 전지 기술 | ||
건식 극판 공정 기술 기반 고성능 리튬이온전지 기술(800Wh/L) | ||
안정성·내구성 향상 | 리튬이온계 소재 기반 고안전성 전고체전지 | |
친환경공법을 적용한 인산철(LFP)계 전지 | ||
고안전성 전고체전지 생산 기술 | ||
비리튬이온계 소재 기반 고안전성 전고체 및 수계 이차전지 | ||
고안전성/장수명(수명 20년) 레독스흐름전지 | ||
원료·소재 자립화 | 나트륨이온전지(고도화) 및 다가이온전지(600Wh/L) | |
해수전지(450Wh/L) | ||
사용 후 전지의 재활용(산업부) | ||
수소연료전지 | 혁신적 효율·성능 향상 | 고성능 연료전지용 전극/전해질 기술(효율 70 %(LHV)) |
신개념 스택 설계 및 모듈화 기반 연료전지 셀 제조·시스템 부품 요소 기술(200 kW 급, 효율 65 %(LHV)) | ||
연료전지 가격 저감을 통한 스택 공용화/불량률 개선 기술 | ||
안정성·내구성 향상 | 신소재 개발을 통한 장기내구성 확보(10만 시간, 100만 km) | |
장시간 운전에도 안전성을 확보할 수 있는 소재 및 부품 기술 고도화 | ||
원료·소재 자립화 | 고분자전해질 등 핵심 소재 국산화 | |
시스템최적화, 소재 예측 기반 고급화 기술 | ||
동위원소전지 | 혁신적 효율·성능 향상 | 고효율/고출력 열-전력변환 시스템(30 W, 10년, 효율 25 %) |
고효율/고출력 베타전지(20 mW, 5년, 효율 5 %) | ||
안정성·내구성 향상 | 극한환경(극저온, 침수, 고압, 부식성) 조건 아래 고성능 구동 | |
우주 및 극한환경 내구성 확보, 일상환경 안전성 확보 | ||
원료·소재 자립화 | 동위원소 열원 및 베타방출 동위원소 생산 기술 | |
동위원소 열원 공급망 확보, 베타선 방출핵종 농축기술 |
출처
과학기술정보통신부